1966年出生，1988年吉林大学毕业后加入中国科学院半导体所，先后参加了“七五”国家、科学院重大基金项目，“八五”攀登计划项目“低维半导体量子输运”相关课题的研究工作；1995年5月赴奥地利维也纳技术大学固态电子学研究所做访问学者；1997年3月赴英国伯明翰大学物理系学习并获硕士学位；1998年5月开始在德国亚琛工业大学、维尔茨堡大学物理系学习和工作，2003年获维尔兹堡大学自然科学博士学位并从事博士后研究工作。2005年3月起任中国科学院半导体研究所研究员。

取得的重要科研成果：
1.半导体低维电子系统的输运现象及其在新型量子器件方面的应用：研究GaAs/AlAs 双势垒中的 G-C 电子态混合引起的磁隧穿振荡，GaAs/AlGaAs 短周期超晶格中微带输运与Si杂质相关输运之间的一种新Fano共振隧穿机制，朗道能级间的级联共振隧穿现象及THz源应用。
2.发展了以微制作工艺手段获得金属纳米团簇线的方法，研究金属纳米团簇在室温单电子器件方面的应用；成功制作了小于50纳米的金点接触结，研究金属、Spin-glass纳米点接触相关输运现象，观察到声子谱和杂质相关的零偏压电导异常。
3.窄禁带稀释磁性半导体微结构的自旋输运：研究HgTe/HgCdMnTe量子阱中Mn相关的Rashba自旋-轨道耦合效应增强现象，HgMnTe磁性二维电子气中Rashba效应、塞曼分裂和交换作用的竞争机制以及奇数填充的反常量子霍尔效应。
4.NiMnSb半金属薄膜材料的自旋输运和TMR器件研究， CoFe/AlO/NiMnSb 器件室温TMR达 8.7%。
5.研究CMOS图像传感器消除图像拖尾现象、降低噪声的物理机制。

主要研究领域及方向：
图像传感器及微纳米结构制作工艺技术。

在研/完成项目：

科技部重大科学研究计划项目“新型图像传感器及并行图像处理芯片的研究与集成”课题：新型图像传感器线阵研究（2011-2015）；国家自然科学基金委重点基金项目“硅基太赫兹通信集成电路基础理论与关键技术”(2014-2018)。

完成项目：科技部重大科学研究计划项目“新原理、高增益III-V族半导体光电传感器（2006-2010）”；科技部重大科学研究计划项目“半导体量子结构中的自旋量子调控”课题：半导体量子结构中的自旋注入、调控和自旋态的相干超快光学操作）（2007-2011）；科学院三期重要方向性项目“半导体自旋量子结构中的器件物理效应”课题：半导体磁性量子结构中的自旋注入、调控和检测）（2006-2011）；02专项课题“超高速CMOS图像传感器芯片的前端设计与芯片测试验证”(2011-2013)。