刘忠立 ，男，1940年出生，武汉人。研究员。1964年毕业于清华大学半导材料及器件专业。现任中国科学院半导体研究所微电子研究和发展中心主任，兼任研究所学术委员会副主任。

自1964年起在中科院半导体研究所工作至今，是我国最早研制出MOSFET及JFET的主要研究人员之一。60年代后期至70年代中期，在优质SiO2生长、检测以及MOS吕件稳定性和可靠性方面做了很多有意义的工作。1980-1981年在联邦德国从事新CMOS器件的研究，提出并研制成功的离子注入氮形成隐埋的Si3N4层不用处延硅的CMOS/SOI器件是国际上开创性的工作。1990-1991在联邦德国HMI研究所从事MOS器件抗辐射物理研究。已在国内外主要刊物上发表了40余篇论文，著有30万字专著《CMOS集成电路原理、制造及应用》一本。1980年至今负责抗辐射集成电路及微传感器研究，所负责的“抗辐射CMOS/SOS集成电路”及“长寿命卫星用抗辐射集成电路”研究课题分别获1987年及1991年中科院科技进步二等奖 1992年获国防科工委光华基金个人二等奖 1995年负责的国防重点工程抗辐射加固CMOS/SOS集成电路获中科院科技进步三等奖。拥有发明专利一项。